IXYS - IXFL32N120P

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IXFL32N120P Preise (USD) [2608Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXFL32N120P
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Zener - Arrays and Transistoren - IGBTs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFL32N120P elektronische Komponenten. IXFL32N120P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFL32N120P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFL32N120P Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFL32N120P
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK
Serie : HiPerFET™, PolarP2™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 340 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 360nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 21000pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 520W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : ISOPLUSi5-Pak™
Paket / fall : ISOPLUSi5-Pak™

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