Infineon Technologies - IRF7904TRPBF

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Artikelnummer:
IRF7904TRPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Thyristoren - SCRs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7904TRPBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRF7904TRPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7.6A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.2 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.25V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 910pF @ 15V
Leistung max : 1.4W, 2W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO