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Microsemi Corporation - APT8M80K

KEY Part #: K6408942

[452Stück Lager]

    Artikelnummer:
    APT8M80K
    Hersteller:
    Microsemi Corporation
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 800V 8A TO-220.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - JFETs, Transistoren - Programmierbare Einheit and Thyristoren - Thyristoren ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT8M80K elektronische Komponenten. APT8M80K kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT8M80K haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APT8M80K Produkteigenschaften

    Artikelnummer : APT8M80K
    Hersteller : Microsemi Corporation
    Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
    Serie : POWER MOS 8™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.35 Ohm @ 4A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 500µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 43nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1335pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 225W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220 [K]
    Paket / fall : TO-220-3

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