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- Artikelnummer:
- SI1065X-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit, Leistungstreibermodule, Dioden - RF, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - JFETs and Dioden - Zener - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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SI1065X-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI1065X-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
156 mOhm @ 1.18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
950mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10.8nC @ 5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
480pF @ 6V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
236mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SC-89-6
Paket / fall :
SOT-563, SOT-666
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