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- Artikelnummer:
- SI5509DC-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI5509DC-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI5509DC-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI5509DC-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI5509DC-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI5509DC-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.1A, 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
52 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.6nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
455pF @ 10V
Leistung max :
4.5W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package :
1206-8 ChipFET™
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