SQM100N02-3M5L_GE3 Preise (USD) [73379Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SQM100N02-3M5L_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 100A TO263.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - spezieller Zweck and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SQM100N02-3M5L_GE3 elektronische Komponenten. SQM100N02-3M5L_GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SQM100N02-3M5L_GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SQM100N02-3M5L_GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SQM100N02-3M5L_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 100A TO263
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5500pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
150W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263 (D²Pak)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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