IPI65R280E6XKSA1 Preise (USD) [56694Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPI65R280E6XKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPI65R280E6XKSA1 elektronische Komponenten. IPI65R280E6XKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPI65R280E6XKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPI65R280E6XKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPI65R280E6XKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
Serie :
CoolMOS™ E6
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
13.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
280 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 440µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
950pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
104W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO262-3-1
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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