SQ2309ES-T1_GE3 Preise (USD) [388683Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SQ2309ES-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CHAN 60V SOT23.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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SQ2309ES-T1_GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SQ2309ES-T1_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CHAN 60V SOT23
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
336 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
265pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-236 (SOT-23)
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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