SCT2120AFC Preise (USD) [6875Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SCT2120AFC
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - spezieller Zweck ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Rohm Semiconductor SCT2120AFC elektronische Komponenten. SCT2120AFC kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SCT2120AFC haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SCT2120AFC Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SCT2120AFC
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
29A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
156 mOhm @ 10A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 3.3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
61nC @ 18V
Vgs (Max) :
+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1200pF @ 500V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
165W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB
Paket / fall :
TO-220-3
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