IPG20N06S4L26ATMA1 Preise (USD) [231025Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPG20N06S4L26ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IPG20N06S4L26ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPG20N06S4L26ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1430pF @ 25V
Leistung max :
33W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8-4
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