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Microsemi Corporation - APTMC120HM17CT3AG

KEY Part #: K6522634

APTMC120HM17CT3AG Preise (USD) [103Stück Lager]

  • 1 pcs$344.37982
Artikelnummer:
APTMC120HM17CT3AG
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
POWER MODULE - SIC MOSFET.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Single, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTMC120HM17CT3AG elektronische Komponenten. APTMC120HM17CT3AG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTMC120HM17CT3AG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTMC120HM17CT3AG Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTMC120HM17CT3AG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : POWER MODULE - SIC MOSFET
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 4 N-Channel
FET-Funktion : Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 30mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 332nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5576pF @ 1000V
Leistung max : 750W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : SP3

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