Diodes Incorporated - DMN3032LFDBQ-13

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DMN3032LFDBQ-13 Preise (USD) [504565Stück Lager]

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Artikelnummer:
DMN3032LFDBQ-13
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - JFETs, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3032LFDBQ-13 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DMN3032LFDBQ-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 500pF @ 15V
Leistung max : 1W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package : U-DFN2020-6 (Type B)

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