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- Artikelnummer:
- EPC2108
- Hersteller:
- EPC
- Detaillierte Beschreibung:
- GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - TRIACs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf EPC EPC2108 elektronische Komponenten. EPC2108 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu EPC2108 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
EPC2108 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
EPC2108
Hersteller :
EPC
Beschreibung :
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Serie :
eGaN®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET-Funktion :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V, 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Leistung max :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
9-VFBGA
Supplier Device Package :
9-BGA (1.35x1.35)
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