DMN3033LSDQ-13 Preise (USD) [4181Stück Lager]
- 2,500 pcs$0.09462
- Artikelnummer:
- DMN3033LSDQ-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Arrays and Thyristoren - TRIACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN3033LSDQ-13 elektronische Komponenten. DMN3033LSDQ-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN3033LSDQ-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN3033LSDQ-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN3033LSDQ-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
725pF @ 15V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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