STMicroelectronics - STB16NK65Z-S

KEY Part #: K6415859

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    Artikelnummer:
    STB16NK65Z-S
    Hersteller:
    STMicroelectronics
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 650V 13A I2SPAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - RF, Leistungstreibermodule and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf STMicroelectronics STB16NK65Z-S elektronische Komponenten. STB16NK65Z-S kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu STB16NK65Z-S haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STB16NK65Z-S Produkteigenschaften

    Artikelnummer : STB16NK65Z-S
    Hersteller : STMicroelectronics
    Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 13A I2SPAK
    Serie : SuperMESH™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 6.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 89nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2750pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 190W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : I2PAK
    Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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