SIE812DF-T1-E3 Preise (USD) [48253Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIE812DF-T1-E3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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SIE812DF-T1-E3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIE812DF-T1-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
170nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8300pF @ 20V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
10-PolarPAK® (L)
Paket / fall :
10-PolarPAK® (L)
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