Artikelnummer :
SSM6J503NU,LF
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32.4 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
840pF @ 10V
Verlustleistung (max.) :
1W (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-UDFNB (2x2)
Paket / fall :
6-WDFN Exposed Pad