Infineon Technologies - BSC079N10NSGATMA1

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Artikelnummer:
BSC079N10NSGATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC079N10NSGATMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BSC079N10NSGATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13.4A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 110µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 87nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5900pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 156W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TDSON-8
Paket / fall : 8-PowerTDFN

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