SI8902EDB-T2-E1 Preise (USD) [103515Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SI8902EDB-T2-E1
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI8902EDB-T2-E1 elektronische Komponenten. SI8902EDB-T2-E1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI8902EDB-T2-E1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI8902EDB-T2-E1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI8902EDB-T2-E1
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 980µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
1W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-MICRO FOOT®CSP
Supplier Device Package :
6-Micro Foot™ (2.36x1.56)
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