SI7119DN-T1-GE3 Preise (USD) [196638Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SI7119DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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SI7119DN-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI7119DN-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.05 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
666pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur :
-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® 1212-8
Paket / fall :
PowerPAK® 1212-8
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