SPB04N50C3ATMA1 Preise (USD) [325Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SPB04N50C3ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-263.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SPB04N50C3ATMA1 elektronische Komponenten. SPB04N50C3ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SPB04N50C3ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SPB04N50C3ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SPB04N50C3ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-263
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
560V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
470pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
50W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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