IXYS - IXTH52N65X

KEY Part #: K6394928

IXTH52N65X Preise (USD) [13184Stück Lager]

  • 1 pcs$3.45571
  • 50 pcs$3.43852

Artikelnummer:
IXTH52N65X
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 52A TO-247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTH52N65X elektronische Komponenten. IXTH52N65X kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTH52N65X haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH52N65X Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXTH52N65X
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 52A TO-247
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 52A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 68 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 113nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4350pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 660W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247 (IXTH)
Paket / fall : TO-247-3