Infineon Technologies - IPC60R600E6UNSAWNX6SA1

KEY Part #: K6412220

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    Artikelnummer:
    IPC60R600E6UNSAWNX6SA1
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH BARE DIE.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPC60R600E6UNSAWNX6SA1 elektronische Komponenten. IPC60R600E6UNSAWNX6SA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPC60R600E6UNSAWNX6SA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPC60R600E6UNSAWNX6SA1 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IPC60R600E6UNSAWNX6SA1
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET N-CH BARE DIE
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : -
    Technologie : -
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : -
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
    Vgs (th) (Max) @ Id : -
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (Max) : -
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : -
    Betriebstemperatur : -
    Befestigungsart : -
    Supplier Device Package : -
    Paket / fall : -

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