ON Semiconductor - FDMS7672

KEY Part #: K6394024

FDMS7672 Preise (USD) [248448Stück Lager]

  • 1 pcs$0.14887
  • 3,000 pcs$0.10156

Artikelnummer:
FDMS7672
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 19A POWER56.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Arrays, Leistungstreibermodule and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDMS7672 elektronische Komponenten. FDMS7672 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDMS7672 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS7672 Produkteigenschaften

Artikelnummer : FDMS7672
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 19A POWER56
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 19A (Ta), 28A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2960pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-PQFN (5x6)
Paket / fall : 8-PowerTDFN