IPB034N06L3GATMA1 Preise (USD) [114406Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPB034N06L3GATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPB034N06L3GATMA1 elektronische Komponenten. IPB034N06L3GATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPB034N06L3GATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPB034N06L3GATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPB034N06L3GATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 93µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
79nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
13000pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
167W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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