IXFN360N15T2 Preise (USD) [2523Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFN360N15T2
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 150V 310A SOT227.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IXFN360N15T2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFN360N15T2
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 150V 310A SOT227
Serie :
GigaMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
310A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
715nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
47500pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1070W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
SOT-227B
Paket / fall :
SOT-227-4, miniBLOC
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