Artikelnummer :
SI7726DN-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Serie :
SkyFET®, TrenchFET®
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
43nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1765pF @ 15V
Verlustleistung (max.) :
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur :
-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® 1212-8
Paket / fall :
PowerPAK® 1212-8