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- Artikelnummer:
- RJK6011DJE-00#Z0
- Hersteller:
- Renesas Electronics America
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
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- Wettbewerbsvorteil:
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RJK6011DJE-00#Z0 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RJK6011DJE-00#Z0
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92
Serie :
-
Teilestatus :
Last Time Buy
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
52 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
3.7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
25pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
900mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-92(1)
Paket / fall :
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
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