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- Artikelnummer:
- BUK9E1R8-40E,127
- Hersteller:
- NXP USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
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BUK9E1R8-40E,127 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BUK9E1R8-40E,127
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
120nC @ 5V
Vgs (Max) :
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
16400pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
349W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I2PAK
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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