DMN61D8LVT-13 Preise (USD) [520661Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN61D8LVT-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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DMN61D8LVT-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN61D8LVT-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.74nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
12.9pF @ 12V
Leistung max :
820mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package :
TSOT-26
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