STH3N150-2 Preise (USD) [19939Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- STH3N150-2
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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STH3N150-2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STH3N150-2
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2
Serie :
PowerMESH™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
29.3nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
939pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
140W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
H²PAK
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
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