SI6415DQ-T1-E3 Preise (USD) [113709Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SI6415DQ-T1-E3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - TRIACs, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Dioden - Zener - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI6415DQ-T1-E3 elektronische Komponenten. SI6415DQ-T1-E3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI6415DQ-T1-E3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI6415DQ-T1-E3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI6415DQ-T1-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
19 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
70nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-TSSOP
Paket / fall :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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