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- Artikelnummer:
- FQP19N20C_F080
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 19A TO-220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
- Wettbewerbsvorteil:
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FQP19N20C_F080 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FQP19N20C_F080
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
Serie :
QFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
53nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1080pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
139W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220-3
Paket / fall :
TO-220-3
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