SIS429DNT-T1-GE3 Preise (USD) [647879Stück Lager]
- 1 pcs$0.05709
- Artikelnummer:
- SIS429DNT-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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SIS429DNT-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIS429DNT-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
50nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1350pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
27.8W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® 1212-8
Paket / fall :
PowerPAK® 1212-8
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