IXYS - IXFN66N50Q2

KEY Part #: K6413301

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    Artikelnummer:
    IXFN66N50Q2
    Hersteller:
    IXYS
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Dioden - Zener - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFN66N50Q2 elektronische Komponenten. IXFN66N50Q2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFN66N50Q2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFN66N50Q2 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IXFN66N50Q2
    Hersteller : IXYS
    Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
    Serie : HiPerFET™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 66A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 500mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 8mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 199nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6800pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 735W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Chassis Mount
    Supplier Device Package : SOT-227B
    Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC

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