FDMS3660AS Preise (USD) [138425Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDMS3660AS
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
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FDMS3660AS Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDMS3660AS
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
13A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.7V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2230pF @ 15V
Leistung max :
1W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Supplier Device Package :
Power56
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