PSMN6R0-25YLDX Preise (USD) [376025Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- PSMN6R0-25YLDX
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- PSMN6R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. PSMN6R0-25YLDX elektronische Komponenten. PSMN6R0-25YLDX kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu PSMN6R0-25YLDX haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
PSMN6R0-25YLDX Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PSMN6R0-25YLDX
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
PSMN6R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
61A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.75 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
705pF @ 12V
FET-Funktion :
Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.) :
43W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
LFPAK56, Power-SO8
Paket / fall :
SC-100, SOT-669
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