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- Artikelnummer:
- BUK9Y9R9-80E,115
- Hersteller:
- NXP USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 80V LFPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf NXP USA Inc. BUK9Y9R9-80E,115 elektronische Komponenten. BUK9Y9R9-80E,115 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BUK9Y9R9-80E,115 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BUK9Y9R9-80E,115 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BUK9Y9R9-80E,115
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 80V LFPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
LFPAK56, Power-SO8
Paket / fall :
SC-100, SOT-669
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