Vishay Siliconix - 2N6661JTX02

KEY Part #: K6403055

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    Artikelnummer:
    2N6661JTX02
    Hersteller:
    Vishay Siliconix
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - JFETs ...
    Wettbewerbsvorteil:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2N6661JTX02 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : 2N6661JTX02
    Hersteller : Vishay Siliconix
    Beschreibung : MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 90V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 860mA (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 1A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-39
    Paket / fall : TO-205AD, TO-39-3 Metal Can