IRF6614TRPBF Preise (USD) [84934Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IRF6614TRPBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IRF6614TRPBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF6614TRPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12.7A (Ta), 55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.3 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.25V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
29nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2560pF @ 20V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DIRECTFET™ ST
Paket / fall :
DirectFET™ Isometric ST
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