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Microsemi Corporation - APT66F60L

KEY Part #: K6394527

APT66F60L Preise (USD) [5339Stück Lager]

  • 1 pcs$10.49838
Artikelnummer:
APT66F60L
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 70A TO-264.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
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Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT66F60L elektronische Komponenten. APT66F60L kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT66F60L haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT66F60L Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT66F60L
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
Serie : POWER MOS 8™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 330nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 13190pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1135W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-264 [L]
Paket / fall : TO-264-3, TO-264AA

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