IXYS - IXTN62N50L

KEY Part #: K6400165

IXTN62N50L Preise (USD) [1836Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXTN62N50L
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
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Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTN62N50L elektronische Komponenten. IXTN62N50L kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTN62N50L haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTN62N50L Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXTN62N50L
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 62A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 500mA, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 550nC @ 20V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 11500pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 800W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SOT-227B
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC

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