FQPF7N80C Preise (USD) [35025Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FQPF7N80C
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQPF7N80C elektronische Komponenten. FQPF7N80C kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQPF7N80C haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FQPF7N80C Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FQPF7N80C
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F
Serie :
QFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1680pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
56W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220F
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
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