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EPC - EPC2105ENG

KEY Part #: K6523724

[4069Stück Lager]

    Artikelnummer:
    EPC2105ENG
    Hersteller:
    EPC
    Detaillierte Beschreibung:
    GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Leistungstreibermodule, Dioden - Zener - Arrays and Dioden - Brückengleichrichter ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf EPC EPC2105ENG elektronische Komponenten. EPC2105ENG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu EPC2105ENG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EPC2105ENG Produkteigenschaften

    Artikelnummer : EPC2105ENG
    Hersteller : EPC
    Beschreibung : GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
    Serie : eGaN®
    Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
    FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
    FET-Funktion : GaNFET (Gallium Nitride)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.5A, 38A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 20A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 2.5mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.5nC @ 5V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 40V
    Leistung max : -
    Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : Die
    Supplier Device Package : Die
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