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ON Semiconductor - FQPF27N25T

KEY Part #: K6410367

[14161Stück Lager]

    Artikelnummer:
    FQPF27N25T
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - RF, Leistungstreibermodule, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
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    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQPF27N25T elektronische Komponenten. FQPF27N25T kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQPF27N25T haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQPF27N25T Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FQPF27N25T
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F
    Serie : QFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 250V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 14A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 7A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2450pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 55W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220F
    Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

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