IPG20N06S2L35ATMA1 Preise (USD) [176731Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPG20N06S2L35ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPG20N06S2L35ATMA1 elektronische Komponenten. IPG20N06S2L35ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPG20N06S2L35ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPG20N06S2L35ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPG20N06S2L35ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 27µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
790pF @ 25V
Leistung max :
65W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8-4
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