Vishay Siliconix - SI9933BDY-T1-E3

KEY Part #: K6524374

[3853Stück Lager]


    Artikelnummer:
    SI9933BDY-T1-E3
    Hersteller:
    Vishay Siliconix
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOIC.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Leistungstreibermodule, Transistoren - JFETs and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI9933BDY-T1-E3 elektronische Komponenten. SI9933BDY-T1-E3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI9933BDY-T1-E3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI9933BDY-T1-E3 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : SI9933BDY-T1-E3
    Hersteller : Vishay Siliconix
    Beschreibung : MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOIC
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
    FET-Funktion : Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.6A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 4.5V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Leistung max : 1.1W
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Supplier Device Package : 8-SO

    Sie könnten auch interessiert sein an