Artikelnummer :
IPL65R660E6AUMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 4VSON
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
660 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
440pF @ 100V
Verlustleistung (max.) :
63W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
Thin-Pak (8x8)
Paket / fall :
4-PowerTSFN