SCT20N120 Preise (USD) [5944Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SCT20N120
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
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SCT20N120 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SCT20N120
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
290 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 20V
Vgs (Max) :
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
650pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
175W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
HiP247™
Paket / fall :
TO-247-3
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