IXFT26N60Q Preise (USD) [8568Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFT26N60Q
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 26A TO-268.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFT26N60Q elektronische Komponenten. IXFT26N60Q kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFT26N60Q haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFT26N60Q Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFT26N60Q
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
26A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
200nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5100pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
360W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-268
Paket / fall :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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